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CVD氣相沉積爐

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CVD氣相沉積爐

  • 所屬分類:半導(dǎo)體與其他

  • 點(diǎn)擊次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2024/06/15
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詳細(xì)介紹

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        用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)。把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面形成需要的薄膜。由于CVD技術(shù)具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。

       主要應(yīng)用集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、新能源光伏等領(lǐng)域

CVD參數(shù).jpg

           用于滿足CVD-TaC生長(zhǎng)過程中的環(huán)境要求。

        控制系統(tǒng)由PLC控制,控制準(zhǔn)確,自動(dòng)化程度高,可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)/手動(dòng)無擾動(dòng)切換,操作簡(jiǎn)單可靠、節(jié)省能源、無環(huán)境污染。

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